Skrito breme 50 gramov: zakaj je teža telefona morda pomembnejša, kot si mislite
Nov telefon ne bi smel pomeniti, da svoje digitalno življenje pustite za seboj
Samsung in Thierry Henry združujeta moči v novi kampanji za Galaxy Z serijo
Samsung v Sloveniji predstavil nov koncept trgovine Samsung Experience Store
članki
10.07.2023
Objavil: Dare Gliha
Micron je napovedal svojo rešitev za shranjevanje podatkov za mobilne naprave UFS 4.0, ki je dvakrat hitrejša od shranjevanja prejšnje generacije in razkril, da je "izbranim svetovnim proizvajalcem pametnih telefonov in prodajalcem čipov" že poslal testne vzorce.
Nova tehnologija se bo uporabljala za izdelavo pomnilnika s kapacitetami 256 GB, 512 GB in 1 TB. Velikoserijska proizvodnja se bo začela v drugi polovici letošnjega leta, zato bo na prve telefone s pomnilnikom Micron UFS 4.0 treba počakati še nekaj časa.
Ta pomnilnik je zgrajen na 232-slojnem bliskovnem pomnilniku TLC (tristopenjske celice, tj. shranjevanje 3 bitov na celico). Po navedbah podjetja njena arhitektura NAND s šestimi ravnmi omogoča večjo prepustnost naključnega branja. V primerjavi s prejšnjo generacijo pomnilnika je pasovna širina zapisovanja 100 % večja, pasovna širina branja pa 75 % večja.
Micronov pomnilnik UFS 4.0 ponuja do 4300 MB/s hitrosti zaporednega branja in do 4000 MB/s hitrosti zaporednega pisanja. To je več kot pri Samsungovem UFS 4.0, še posebej pri zapisovanju.
Poleg tega so novi čipi UFS 4.0 za 25 % bolj energetsko učinkoviti in obljubljajo 10 % manjšo zakasnitev pri zapisovanju.
| Izdelava spletnih strani - Sistem za izgradnjo in optimizacijo spletnih strani za spletne iskalnike | Oblikovanje - Spletno in grafično oblikovanje Spam prevention |
.SI domene in gostovanje - Brezplačne domene ob nakupu gostovanja |